針對手機V-charge端口防護，有客戶(hù)反饋，使用單顆12V靜電ESD保護二極管（有客戶(hù)習慣把ESD二極管稱(chēng)為T(mén)VS）作為端口浪涌防護器件，浪涌測試后，系統開(kāi)機失敗。為了解決這個(gè)現象，客戶(hù)特意向杭州東沃電子（DOWOSEMI）請教這個(gè)問(wèn)題，并希望能夠提出意見(jiàn)并整改好好這個(gè)方案。經(jīng)過(guò)失效分析結果顯示，ESD二極管和后級IC均有損壞點(diǎn)。實(shí)驗室復現失效，器件表面塑封體熔融，器件內部芯片呈現較大區域燒毀點(diǎn)，確定為長(cháng)時(shí)間過(guò)電壓導致失效。

針對這個(gè)現象，東沃電子FAE工程師提出了解決方法和整改方案，具體詳情如下：

1）受測設備：手機；

2）測試標準：IEC61000-4-5，1.2/50-8/20us，2Ω，EOS 350V, DC 24V；

3）解決方法：更換24V 靜電ESD保護二極管器件作為端口浪涌防護器件，并搭載型號為WP3116的OVP器件，浪涌測試等級可至350V浪涌等級測試，同時(shí)滿(mǎn)足DC 24V直流耐壓測試； 

4）整改后優(yōu)勢：更換浪涌防護等級更高的24V靜電ESD保護二極管器件進(jìn)行浪涌防護，同時(shí)殘余能量被后級OVP吸收。測試直流耐壓時(shí)，靜電ESD保護二極管不動(dòng)作，OVP進(jìn)行過(guò)壓關(guān)斷，從而起到更好保護。