芯片結構有平面和臺面之分，平面芯片工藝一般為淺結結構，臺面芯片工藝包含淺結和深結結構，二者芯片工藝對應產(chǎn)品及功能用途有所不同，兩者技術(shù)各有特點(diǎn)。平面工藝多適用于 MOS管、IGBT等晶體管芯片、肖特基二極管芯片以及部分功率二極管芯片制造；臺面工藝適用于FRD/FRED、TVS二極管、STD、穩壓二極管等大部分二極管GPP芯片制造。

鑒于功率半導體，尤其是功率二極管器件應用領(lǐng)域廣泛，細分產(chǎn)品規格型號數量繁多，在行業(yè)內各家芯片制造公司均是結合自身優(yōu)勢，采用具有自身特色的具體工藝技術(shù)路徑。不同產(chǎn)品適用不同的最佳工藝路線(xiàn)，兩種工藝技術(shù)合理共存。自 20 世紀60年代平面工藝技術(shù)出現以來(lái)，平面工藝從未對功率二極管臺面工藝進(jìn)行替代，平面工藝和臺面工藝不存在更新迭代關(guān)系。 

在中低壓功率二極管制造方面，平面工藝僅應用于部分中低壓產(chǎn)品生產(chǎn)，應用范圍較窄；多數中低壓產(chǎn)品采用GPP工藝，光阻法GPP工藝產(chǎn)品可與平面工藝產(chǎn)品具有同等性能，制作過(guò)程較為簡(jiǎn)單，更加具有成本優(yōu)勢和競爭力。在高壓功率二極管制造方面，平面工藝生產(chǎn)高耐壓產(chǎn)品不可避免需要采用分壓環(huán)，甚至要采用多道分壓環(huán)設計，如果要獲得同等有效通流面積，平面工藝芯片尺寸要比光阻法GPP工藝芯片尺寸更大，且平面工藝制作過(guò)程復雜，成本較高，不具有競爭力，高壓產(chǎn)品行業(yè)很少采用平面工藝。

在 FRD/FRED 芯片制造方面，平面工藝多適用于反向耐壓1200V 以下的續流管產(chǎn)品生產(chǎn)，用作整流二極管、高頻二極管、阻尼二極管、 1200V 以上高壓續流管等領(lǐng)域時(shí)，多采用臺面工藝。在TVS二極管芯片制造方面，平面工藝多適用于低壓小功率產(chǎn)品生產(chǎn)，主要在耳機、智能手環(huán)手表、手機等可穿戴類(lèi)或便攜類(lèi)消費類(lèi)電子產(chǎn)品中抗靜電保護作用；其他細分領(lǐng)域，TVS二極管多采用臺面GPP工藝。在STD芯片制造方面，業(yè)內基本采用臺面GPP工藝。

關(guān)于芯片結構工藝方面的知識就分享到這兒了！想了解更多，可咨詢(xún)TVS二極管廠(chǎng)家東沃電子：137 5773 6996（微信同號）余工