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超低電容TVS管陣列DW05DGCMS-BH-E,為超高速接口提供ESD保護

發(fā)表日期:2020-04-27瀏覽:1606

DW05DGCMS-BH-E超低電容ESD靜電保護二極管,符合AEC-Q101標準,可安全吸收±12 kV 的重復ESD沖擊而不影響性能,并可安全耗散2A的8/20μs 浪涌電流,廣泛應用于在PCB布局尤其具有挑戰性的應用中保護超高速消費電子產(chǎn)品接口免受破壞性靜電放電(ESD)的損壞。

不斷提升的數據速率給需要保持高度信號完整性的設計工程師帶來(lái)了巨大挑戰,與其他ESD保護解決方案相比,DW05DGCMS-BH-E的標稱(chēng)電容要低50%,有益于保持信號的完整性,并將數據丟失率降至最低。同時(shí),提供超過(guò)30 GHz的傳輸頻帶,讓信號完整性工程師可創(chuàng )造出高速的數據環(huán)境。
超低電容TVS二極管陣列.png

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E特性:
? Small Body Outline Dimensions:0.60mm x 0.30 mm
? Low Clamping Voltage
? Ultra Low Capacitance:0.15pF
? Working Voltage: 5 V
? Low Leakage Current
? DFN0603-2L package
? IEC 61000-4-2 (ESD) ±12kV (air), ±12kV (contact)
? IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
? IEC 61000-4-5 (Lightning) 3A (8/20μs)

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E優(yōu)勢:
1)低于0.15 pF基于硅的ESD保護可實(shí)現高達30 GHz的傳輸頻帶,保護超快的數據接口確保高度信號的完整性;
2)采用業(yè)內標準的0201DFN封裝,減少寄生電容、電感和電阻,使得TVS二極管陣列更好地融入保護方案;
3)超低寄生電容和電感可改善動(dòng)態(tài)電阻性能,更快、更好地保護電路;

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E應用:
? 超高速數據線(xiàn)路和接口
? 低功率天線(xiàn)端口
? 消費類(lèi)、移動(dòng)及便攜式電子產(chǎn)品 
? 平板電腦和帶有高速接口的外部存儲設備 

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