BTS3410G是集智能SIPMOS技術(shù)制造而成的N溝道垂直功率場(chǎng)效應晶體管FET，低壓側、2路輸出、輸入電壓10V、電流極限7.5A、封裝類(lèi)型SOIC-8，來(lái)自國際品牌英飛凌（Infineon）。關(guān)于BTS3410G這個(gè)料，每天都有許多新老客戶(hù)向東沃電子DOWO詢(xún)價(jià)、現貨、交期等方面的問(wèn)題。東沃電子自創(chuàng )辦以來(lái)，秉承“一切以客戶(hù)為中心”的經(jīng)營(yíng)理念，用心服務(wù)好每一位客戶(hù)，滿(mǎn)足客戶(hù)的不同需求。為此，為客戶(hù)配套成為了東沃電子的日常。由于渠道優(yōu)勢，東沃電子能夠第一時(shí)間調到貨、交期迅速、原裝正品、價(jià)格美麗、現貨庫存，竭誠歡迎廣大客戶(hù)前來(lái)詢(xún)BTS3410G場(chǎng)效應晶體管。

接下來(lái)重點(diǎn)詳述BTS3410G場(chǎng)效應晶體管FET的特性、參數、應用，帶您走進(jìn)BTS3410G的“世界”！

BTS3410G場(chǎng)效應管特性

邏輯電平輸入
自動(dòng)重啟熱開(kāi)關(guān)
符合ROHS標準
過(guò)載、短路、過(guò)電壓、ESD保護
電流限制
模擬驅動(dòng)

BTS3410G場(chǎng)效應管參數

Drain source voltage漏源電壓：42V
on-state resistance導通狀態(tài)電阻：200mΩ 
Nominal load current額定負載電流：1.3A
Clamping energy鉗位能量：150mJ
Automobile quality standard汽車(chē)質(zhì)量標準：AEC-Q100
Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G場(chǎng)效應管應用

適用于開(kāi)關(guān)或線(xiàn)性應用中的各種阻性、感性和容性負載；
μC兼容電源開(kāi)關(guān)，適用于12V DC應用；
取代機電繼電器和分立電路

想了解更多有關(guān)場(chǎng)效應晶體管BTS3410G信息，可向專(zhuān)業(yè)的供應商東沃電子索取規格書(shū)，咨詢(xún)熱線(xiàn)：136 7581 6901（微信同號）朱經(jīng)理