干貨：半導體放電管選型指南，看完您就明白了

一、半導體放電管工作原理

半導體放電管，TSS（Thyristor Surge Suppressors），也稱(chēng)浪涌抑制晶閘管，是一種采用半導體工藝制成的PNPN結四層結構器件，其伏安特性與晶閘管類(lèi)似，具有典型的開(kāi)關(guān)特性。一般并聯(lián)在電路中應用，正常工作狀態(tài)下半導體放電管 處于截止狀態(tài)，當電路中由于感應雷、操作過(guò)電壓等出現異常過(guò)電壓時(shí)，半導體放電管快速導通泄放由異常過(guò)電壓導致的異常過(guò)電流， 保護后端設備免遭異常過(guò)電壓的損壞，異常過(guò)電壓消失后，半導體放電管又恢復至截止狀態(tài)。 

東沃（DOWO）供應的半導體放電管產(chǎn)品有：SOD-123系列、SMA系列、SMB系列、SMC系列、DO系列、SOP-8系列、SOT23-5系列、SOT23-6系列、TO-92-2L系列、LED系列等等。

二、半導體放電管特點(diǎn)特性

? 精確的導通擊穿電壓，反向截止電壓范圍為6V-600V；

? 快速的響應速度快：小于1nS

? 在8/20μs波形下通流量為幾百安培； 

? 低結電容，電容值在幾十皮法至一百多皮法； 

? 漏電流小，一般為幾微安甚至零點(diǎn)幾微安； 

? 有插件、貼片、陣列式等封裝形式； 

三、半導體放電管選型指南

1）半導體放電管的反向截止電壓要大于被保護電路的最大工作電壓，否則的話(huà)，不僅影響被保護電路的正常工作，還影響TSS的使用壽命；

2）最大瞬間峰值電流IPP必須大于通訊設備標準的規定值；

3）轉折電壓要小于被保護電路所允許的最大瞬間峰值電壓；

4）半導體放電管處于導通狀態(tài)時(shí)，所損耗的功率應小于其額定功率；

5）如果想要使半導體放電管通過(guò)大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH必須大于系統所能能提供的電流值；

四、半導體放電管參數注解

? V_DRM：反向截止電壓，也稱(chēng)斷態(tài)重復峰值電壓，斷態(tài)時(shí)刻施加的包含所有直流和重復性電壓分量的額定最高瞬時(shí)電壓；

? I_DRM：反向最大漏電流，也稱(chēng)斷態(tài)重復峰值電流，是指施加斷態(tài)重復峰值電壓VDRM產(chǎn)生的峰值斷態(tài)電流；

? I_H：維持電流，維持晶閘管通態(tài)的最小電流；

? V_T：通態(tài)電壓，在規定通態(tài)電流IT條件下器件兩端電壓； 

? I_T：通態(tài)電流，在通態(tài)條件下，流過(guò)器件的電流；

? V_S：開(kāi)關(guān)電壓，開(kāi)關(guān)電壓定義為器件轉換進(jìn)入通態(tài)前，在擊穿區終點(diǎn)時(shí)器件兩端的瞬時(shí)電壓；

? I_S：開(kāi)關(guān)電流，在開(kāi)關(guān)電壓VS條件下流過(guò)器件的瞬時(shí)電流；

? V_PP：峰值脈沖電壓，給定波形下半導體放電管可通過(guò)的最大峰值脈沖電壓值； 

? I_PP：峰值脈沖電流，給定波形下半導體放電管可通過(guò)的最大峰值脈沖電流； 

五、半導體放電管選型事項

1）由于半導體放電管是一種開(kāi)關(guān)型過(guò)電壓保護器件，導通后電壓比較低，為此不能單獨應用在較高的電源線(xiàn)保護中；

2）要根據電路設計布局選擇合適的封裝形式；

3）一般并聯(lián)在電路之中；

六、半導體放電管典型應用

半導體放電管TSS廣泛應用于通信、安防、工業(yè)等電子產(chǎn)品的通信線(xiàn)保護中，電話(huà)機、傳真機、Modem、XDSL終端、T1/E1接口、儀器儀表、及其配線(xiàn)架、RS485/232數據線(xiàn)、以太網(wǎng)、CATV設備、安防產(chǎn)品、遠程監控、遠程抄表等產(chǎn)品中。

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